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參數資料
| 型號： | BUJ106AX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | BUJ106AX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106AX
Fig.13. Reverse bias safe operating area (T
j
< T
jmax
)
for -V
be
= 5V,3V & 1V
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
clamp
< 1000V; V
= 150V; -V
= 5V,3V & 1V;
L
B
= 1
μ
H; L
C
= 200
μ
H
0
100
200
300
400
VCEclamp/V
500
600
700
800
900
0
2
4
6
8
10
12
14
IC/A
-5V
-3V
-1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
March 1999
5
Rev 2.000
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PDF描述 |
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