參數(shù)資料
型號： BU1508DX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BU1508DX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1508DX
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.14. SOT186A; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10.3
max
3.2
3.0
4.6
max
2.9 max
2.8
seating
plane
6.4
15.8
max
0.6
2.5
2.54
5.08
1
2
3
3 max.
not tinned
3
0.5
2.5
0.9
0.7
M
0.4
15.8
max.
19
13.5
min.
Recesses (2x)
2.5
0.8 max. depth
1.0 (2x)
1.3
September 1997
6
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK454-200A PowerMOS transistor
DL-5545S-C330-FBS 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-F 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-FB 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-FBS 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
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參數(shù)描述
BU1508-E3/45 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BU1508-E3/51 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BU1508-M3/45 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU1508-M3/51 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU1510 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced PowerBridge Rectifiers
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