參數(shù)資料
型號(hào)： BU1508DX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BU1508DX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1508DX
ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
isol
R.M.S. isolation voltage from all
three terminals to external
heatsink
C
isol
Capacitance from T2 to external f = 1 MHz
heatsink
CONDITIONS
f = 50-60 Hz; sinusoidal
waveform;
R.H.
≤
65% ; clean and dustfree
MIN.
-
TYP.
MAX.
2500
UNIT
V
-
10
-
pF
STATIC CHARACTERISTICS
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
CES
Collector cut-off current
2
I
CES
CONDITIONS
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
Tj = 125C
V
= 7.5 V; I
C
= 0 A
I
B
= 600 mA
V
= 7.5 V
I
= 0 A; I
C
= 100 mA;
L = 25 mH
I
C
= 4.5 A; I
B
= 1.1 A
I
C
= 4.5 A; I
B
= 1.7 A
I
C
= 1 A; V
= 5 V
I
C
= 4.5 A; V
CE
= 1 V
I
F
= 4.5 A
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
1.0
2.0
UNIT
mA
mA
I
BV
EBO
R
be
V
CEOsust
Emitter cut-off current
Emitter-base breakdown voltage
Base-emitter resistance
Collector-emitter sustaining voltage
140
7.5
-
700
-
390
-
-
-
mA
V
V
13.5
33
-
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
h
FE
V
F
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
-
-
-
4
-
-
-
1.0
1.3
-
7.0
2.0
V
V
13
5.5
1.6
Diode forward voltage
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
C
c
Collector capacitance
Switching times (line deflection
circuit). Fig.1, Fig.2 and Fig.3.
t
s
Turn-off storage time
t
f
Turn-off fall time
CONDITIONS
I
E
= 0 A; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
= 4.5 A; I
= 1.1 A; L
B
= 6
μ
H;
-V
BB
= 4 V; (-dI
B
/dt = 0.6 A/
μ
s)
TYP.
80
MAX.
-
UNIT
pF
5.0
0.4
6.0
0.6
μ
s
μ
s
2
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
September 1997
2
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK454-200A PowerMOS transistor
DL-5545S-C330-FBS 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-F 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-FB 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
DL-5540-C270-FBS 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BU1508-E3/45 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BU1508-E3/51 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
BU1508-M3/45 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU1508-M3/51 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU1510 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced PowerBridge Rectifiers
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*