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參數(shù)資料
| 型號： | BU1508DX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | BU1508DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU1508DX
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.9. Typical turn-off losses.T
j
= 85C
Eoff = f (I
B
); parameter I
C
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C
Fig.11. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
Fig.12. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
1
2
3
4
IB / A
VBESAT / V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
IC=
6A
4.5A
3A
2A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IC =
4.5A
3.5A
ts
tf
0.1
1
10
IB / A
VCESAT / V
10
1
0.1
IC=2A
3A
4.5A
6A
Tj = 25 C
Tj = 125 C
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0.1
1
10
IB / A
Eoff / uJ
1000
100
10
IC = 4.5A
3.5A
1E-06
1E-04
1E-02
t / s
1E+00
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
September 1997
4
Rev 1.300
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK454-200A | PowerMOS transistor |
| DL-5545S-C330-FBS | 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE |
| DL-5540-C270-F | 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE |
| DL-5540-C270-FB | 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE |
| DL-5540-C270-FBS | 1270 nm ~ 1610 nm DFB LD MODULES 2.5 Gbps CWDM MQW-DFB LD RECEPTACLE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU1508-E3/45 | 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| BU1508-E3/51 | 功能描述:橋式整流器 15 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| BU1508-M3/45 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE |
| BU1508-M3/51 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:15A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE |
| BU1510 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Enhanced PowerBridge Rectifiers |
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