參數(shù)資料
型號(hào)： BT168G
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT168G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 15/15頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： BT168G
Conclusions
The maximum practical power dissipations are
summarised below for stagnant ambient conditions
at 25
°
C. These are for standard FR4 PCB or similar
without special heatsinking provisions. The 35
μ
m
copper had been lightly tinned by electrochemical
deposition.
SOT223 and SOT428 can be soldered to common
pad layouts. 20mm
2
was the absolute minimum pad
area for soldering SOT428. A reasonable power
dissipation for SOT428 on 20mm
2
fell somewhere
between 1.0W and 1.5W.
The minimum pad quoted in data for SOT223 is
5.7mm
2
. 0.5W is a more realistic maximum power
dissipation for SOT223 on its minimum pad.
Package
Pmax (W)
Pad area (mm
2
)
T
j
(
o
C)
R
th j-a
(K/W)
R
th j-a
(K/W)
(experimental)
(quoted in data)
156 (5.7mm
2
pad)
70 (648mm
2
pad)
SOT223
1.0
20
650
97
74
99
72
SOT428
1.0<1.5
20
106
73
75
SOT404
2.0
104
108
55
55
Naked dice
All Philips’ thyristors and triacs can be supplied as
naked dice if required. Please contact your local
sales office for details.
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PDF描述
BT150-500R Thyristor
BT150S-600R Logic level thyristor
BT151-1000RT SCR
BT151-500C SCR
BT151-650C Thyristor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BT168G,112 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT168GW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 1A 600V SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max, Igt:200A; Current It av:0.63A; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:8A; Holding Current Max ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor,600V,1A,BT168GW
BT168GW,115 功能描述:SCR TAPE-7 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT168GWF 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR600VSOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR,600V,SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR,600V,SOT223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max, Igt:200A; Current It av:630mA; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:8A; Holding Current Max Ih:10mA; ;RoHS Compliant: Yes
BT168GWF,115 功能描述:SCR 600V 1A SOT223 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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