型號(hào): | BT168E |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | SCR |
封裝: | BT168E<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
文件頁數(shù): | 6/15頁 |
文件大?。?/td> | 107K |
代理商: | BT168E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BT168G | SCR |
BT150-500R | Thyristor |
BT150S-600R | Logic level thyristor |
BT151-1000RT | SCR |
BT151-500C | SCR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BT168E,112 | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
BT168EW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications |
BT168G | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
BT168G,112 | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
BT168GW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 1A 600V SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max, Igt:200A; Current It av:0.63A; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:8A; Holding Current Max ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor,600V,1A,BT168GW |