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參數(shù)資料
| 型號： | BT168E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SCR |
| 封裝： | BT168E<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | BT168E |
SOT428
Area (mm
2
)
0.5W
1.0W*
1.5W*
2.0W
2.5W
3.0W
20
90
85
-
-
-
-
49
77
75
73
72
-
-
81
71
69
66
65
-
-
144
64
62
60
59
58
-
256
58
56
54
53
52
-
484
54
50
48
47
46
45
900
46
45
43
42
41
SOT428 Rth j-a vs PCB pad area. 100 x 100 mm FR4 PCB
positioned vertically in still air.
40
50
60
70
80
90
100
0
200
400
600
800
1000
Pad area (sq mm)
R
0.5W
1W
1.5W
2W
2.5W
3W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT168G | SCR |
| BT150-500R | Thyristor |
| BT150S-600R | Logic level thyristor |
| BT151-1000RT | SCR |
| BT151-500C | SCR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT168E,112 | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT168EW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications |
| BT168G | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT168G,112 | 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT168GW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 1A 600V SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; Gate Trigger Current Max, Igt:200A; Current It av:0.63A; On State RMS Current IT(rms):1A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:8A; Holding Current Max ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristor,600V,1A,BT168GW |
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