參數(shù)資料
型號(hào): BSP30
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: MEDIUM POWER AMPLIFIER
中文描述: 中功率功率放大器
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
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代理商: BSP30
1999-09-22
Page 5
BSP308
Preliminary data
Drain current
I
D
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
A
5.5
BSP308
I
D
Power Dissipation
P
tot
= f (T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
W
1.9
BSP308
P
t
Transient thermal impedance
Z
thJA
= f(t
p
)
parameter : D =t
p
/T
BSP308
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
s
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
Safe operating area
I
D
= f( V
DS
)
parameter : D= 0 , T
A
= 25 °C
BSP308
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
tp = 160.0
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP30 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSP317Q67000-S94 TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
BSP318 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223
BSP31 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP31 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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參數(shù)描述
BSP300 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 800V 0.19A SOT223
BSP300 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSP300 L6327 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 800V .19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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