型號: | BSP30 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
中文描述: | 中功率功率放大器 |
文件頁數(shù): | 3/9頁 |
文件大?。?/td> | 76K |
代理商: | BSP30 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BSP30 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BSP317Q67000-S94 | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
BSP318 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SOT-223 |
BSP31 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
BSP31 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSP300 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 800V 0.19A SOT223 |
BSP300 E6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
BSP300 L6327 | 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 800V .19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSP300_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor |
BSP300E6327NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |