參數(shù)資料
型號: BSP296Q67000-S067
英文描述: TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
中文描述: 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 118K
代理商: BSP296Q67000-S067
BSP 297
Data Sheet
8
05.99
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(T
j
)
-60
-20
20
60
100
C
T
j
160
180
185
190
195
200
205
210
215
220
225
230
V
240
V
(BR)DSS
Safe operating area
I
D
=f(V
DS
)
parameter : D = 0.01, T
C
=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP304 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管)
BSP304A P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管)
BSP308 ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
BSP30 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BSP30 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP297 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CH MOSFET, 200V, 600mA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.4V ;RoHS Compliant: Yes
BSP297 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSP297 L6327 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 200V .66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP297 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223
BSP297_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor