參數(shù)資料
型號(hào)： BSP296Q67000-S067
英文描述： TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
中文描述： 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： BSP296Q67000-S067
BSP 297
Data Sheet
2
05.99
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Chip or operating temperature
T
j
T
stg
R
thJA
R
thJS
-55 ... + 150
C
Storage temperature
-55 ... + 150
≤
70
≤
10
Thermal resistance, chip to ambient air
K/W
Therminal resistance, junction-soldering point
1)
DIN humidity category, DIN 40 040
E
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
55 / 150 / 56
1) Transistor on epoxy pcb 40 mm x 40 mm x 1,5 mm with 6 cm
2
copper area for drain connection
Electrical Characteristics,
at
T
j
= 25C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25 mA,
T
j
= 25 C
Gate threshold voltage
V
(BR)DSS
200
-
-
V
V
GS=
V
DS,
I
D
= 1 mA
Zero gate voltage drain current
V
GS(th)
0.8
1.4
2
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 200 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
V
DS
= 130 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
-
-
8
0.1
100
50
1
μA
nA
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-Source on-state resistance
I
GSS
-
10
100
nA
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.65 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 0.65 A
R
DS(on)
-
-
2
1.6
3.3
2
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PDF描述
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