參數(shù)資料
型號： BSP145
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BSP145
1995 Apr 24
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP145
Fig.10 Drain-source on-state resistance as a
function of drain current; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
20
40
1
10
10
ID(A)
VGS= 4 V 4.5 V 5 V
10 V
MGC437
3
2
1
6 V
RDS
(
)
on
Fig.11 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
.
k
V
at T
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
0.6
0.8
1.0
50
150
50
k
Tj
o
MGC434
Fig.12 Temperature coefficient of drain-source
on-state resistance.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
0
0.5
1
1.5
2
0
50
100
150
k
Tj (
°
C)
MLC695
50
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