型號: | BSP297Q67000-S68 |
英文描述: | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
中文描述: | 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223 |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大小: | 118K |
代理商: | BSP297Q67000-S68 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSP296Q67000-S067 | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
BSP304 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管) |
BSP304A | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管) |
BSP308 | ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ? |
BSP30 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSP298 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N CH, 400V, 0.5A, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N CH, 400V, 500mA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes |
BSP298 E6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
BSP298 L6327 | 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 400V .5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSP298 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
BSP298_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor |