參數(shù)資料
型號(hào)： BSP297Q67000-S68
英文描述： TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
中文描述： 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： BSP297Q67000-S68
BSP 297
Data Sheet
6
05.99
Typ. output characteristics
I
D
=
(
V
DS
)
parameter: t
p
= 80 μs
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
V
DS
7.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
A
1.5
I
D
VGS [V]
a
a
2.0
b
b
2.5
c
c
3.0
d
d
3.5
e
e
4.0
f
f
4.5
g
g
5.0
h
h
6.0
i
i
7.0
j
j
8.0
k
l
k
9.0
P
tot
= 2W
l
10.0
Typ. drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
I
D
)
parameter: t
p
= 80 μs, T
j
= 25 C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
A
0.9
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.5
R
DS (on)
V
GS
[V] =
a
2.0
a
b
b
2.5
c
c
3.0
d
d
3.5
e
l
e
4.0
f
f
4.5
g
h
g
5.0
h
6.0
i
i
7.0
j
j
8.0
k
k
9.0
l
10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
= f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
A
2.2
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
=
f
(
I
D
)
parameter:
t
p
= 80 μs,
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
A
I
D
2.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
S
1.8
g
fs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP296Q67000-S067 TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
BSP304 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管)
BSP304A P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管)
BSP308 ?Small Signal MOSFET.30V. SOT-223. RDSon = 75mOhm. 4.7A. LL ?
BSP30 MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP298 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N CH, 400V, 0.5A, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N CH, 400V, 500mA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
BSP298 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSP298 L6327 功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 400V .5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP298 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223
BSP298_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor
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