BSP149 E6906

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型號(hào)
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封裝
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說(shuō)明
操作

BSP149 E6906
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSP149 E6906
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
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功能描述
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
RoHS
否
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
SIPMOS®
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSP149 E6906 技術(shù)參數(shù)

BSP149 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP14-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-18 AWG Blue 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售端子類型:對(duì)接接頭，直插式，單獨(dú)開(kāi)口進(jìn)線數(shù):2 端接:壓接線規(guī):14-18 AWG 絕緣:完全絕緣特性:銅焊縫顏色:藍(lán)色標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327