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BSP149H6906XTSA1

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  • BSP149H6906XTSA1
    BSP149H6906XTSA1

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  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • INFINEON/英飛凌

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  • BSP149H6906XTSA1
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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 60089

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

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  • BSP149H6906XTSA1
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • BSP149H6906XTSA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

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    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • BSP149H6906XTSA1
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 4750

  • INFINEON

  • DIGI-REEL?

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  • BSP149H6906XTSA1
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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

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    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

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BSP149H6906XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 200V 3.5OhM 0.14Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 30 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 180 mA
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 4.5 Ohms
  • 配置
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-416
  • 封裝
  • Reel
BSP149H6906XTSA1 技術參數(shù)
  • BSP149H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP149 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP14-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-18 AWG Blue 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):14-18 AWG 絕緣:完全絕緣 特性:銅焊縫 顏色:藍色 標準包裝:1 BSP135L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 120mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1
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