參數(shù)資料
型號： BSP145
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 51K
代理商： BSP145
1995 Apr 24
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP145
FEATURES
Direct interface to C-MOS, TTL, etc.
High speed switching
No secondary breakdown.
APPLICATIONS
Intended for applications in relay, high speed and line
transformer drivers.
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
in a SOT223 plastic SMD package.
PINNING - SOT223
PIN
SYMBOL
DESCRIPTION
1
2
3
4
g
d
s
d
gate
drain
source
drain
CAUTION
The device is supplied in an antistatic package. The
gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
Fig.1 Simplified outline and symbol.
handbook, halfpage
MAM054
4
1
2
3
Top view
s
d
g
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
V
DS
V
GSO
V
GSth
I
D
R
DSon
P
tot
drain-source voltage
gate-source voltage
gate-source threshold voltage
drain current
drain-source on-state resistance
total power dissipation
3
10
450
±
20
4
250
14
1.5
V
V
V
mA
W
open drain
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
I
D
= 100 mA; V
GS
= 10 V
up to T
amb
= 25
°
C
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PDF描述
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