參數(shù)資料
型號(hào)： BSO215C
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？SIPMOS?；パa(bǔ)。 20V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)（N / P系列）\u003d 0.10/0.10Ohm。編號(hào)（北）\u003d 3.7A。編號(hào)（規(guī)劃）\u003d - 3.7A。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大小： 153K
代理商： BSO215C
1999-09-22
Page 12
Preliminary data
BSO 215 C
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
= f (T
j
), (N-Ch.)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
20.5
21.0
21.5
22.0
22.5
23.0
23.5
V
24.5
BSO 215 C
V
(
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
= f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
-18.0
-18.5
-19.0
-19.5
-20.0
-20.5
-21.0
-21.5
-22.0
-22.5
-23.0
-23.5
V
-24.5
BSO 215 C
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BSO301SN High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
BSO220N 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-R Small-Signal-Transistor
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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