參數(shù)資料
型號(hào)： BSM35GP120G
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： BSM35GP120G
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
85,88
289,11
22,94
42,06
0,009
47,398
0,003
0,045
348,913
0,022
0,073
310,298
0,064
0,229
93,392
0,344
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= 15V, R
g
= 22 Ohm, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
IC,Modul
IC,Chip
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD170DLV High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM3650 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT
BSM400GA120DL 制造商:SIEMENS 功能描述:400
BSM400GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM400GA120DLC_04 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode
BSM400GA120DLCS 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*