參數(shù)資料
型號(hào): BSM35GP120G
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大小: 94K
代理商: BSM35GP120G
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,44
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,8
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
3
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
M2
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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