參數(shù)資料
型號(hào)： BSM35GD120DLCE3224
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： BSM35GD120DLCE3224
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,44
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,8
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
3
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
M2
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GP120 IGBT Module
BSM35GP120G IGBT Module
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GD120DN2E3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GP120 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM35GP120G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*