參數(shù)資料
型號： BSM35GD120DLCE3224
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： BSM35GD120DLCE3224
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 35A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
0,05
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 125°C
-
0,06
-
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 35A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 25°C
t
r
-
0,05
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 125°C
-
0,05
-
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 35A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
0,25
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 125°C
-
0,3
-
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 35A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 25°C
t
f
-
0,03
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 22
, T
vj
= 125°C
-
0,07
-
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 35A, V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 22
, T
vj
= 125°C, L
S
= 120nH
E
on
-
4,5
-
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 35A, V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 22
, T
vj
= 125°C, L
S
=120nH
E
off
-
4,3
-
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, R
G
= 22
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=900V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
-
320
-
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
-
60
-
nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip
T
C
=25°C
R
CC‘+EE‘
-
8,0
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 35A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
1,8
2,3
V
I
F
= 35A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1,7
2,2
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 35A, - di
F
/dt = 900A/μsec
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
36
-
A
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-
45
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 35A, - di
F
/dt = 900A/μsec
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
3,6
-
μAs
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-
7,6
-
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 35A, - di
F
/dt = 900A/μsec
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
1,3
-
mWs
V
R
= 600V, VGE = -15V, T
vj
= 125°C
-
2,8
-
mWs
2(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GP120 IGBT Module
BSM35GP120G IGBT Module
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BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
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參數(shù)描述
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BSM35GD120DN2E3224 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GP120 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM35GP120G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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