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參數資料
| 型號： | BSM200GA170DLC |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | BSM200GA170DLC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM200GA170DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GAL120DLC | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GD60DLC | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM300GA170DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM20GD60DLCE3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM200GA170DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 290A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GA170DN2S | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 290A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GA170DN2S C | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSM200GA170DN2S_E3256 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GAL120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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