參數(shù)資料
型號(hào)： BSM300GA170DN2
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.7KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 440A一（c）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 70K
代理商： BSM300GA170DN2
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PDF描述
BSM20GD60DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM20GD60DN2 High Efficient Rectifier Diodes
BSM20GP602 IGBT Module
BSM214A TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 125A I(D)
BSM224A TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 200V V(BR)DSS | 81A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM300GA170DN2_E3166 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 440A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DN2_E3166C-SE 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM300GA170DN2E3166 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
BSM300GA170DN2S 功能描述:IGBT 模塊 1700V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM300GA170DN2S_E3256 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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