參數(shù)資料
型號(hào)： BSM200GAL120DLC
英文描述： High Efficient Rectifier Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： BSM200GAL120DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GD60DLC High Efficient Rectifier Diodes
BSM300GA170DN2 High Efficient Rectifier Diodes
BSM20GD60DLCE3224 High Efficient Rectifier Diodes
BSM20GD60DN2 High Efficient Rectifier Diodes
BSM20GP602 IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM200GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GAR120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAR CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GB120 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
BSM200GB120DL 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Low Loss IGBT Low inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
BSM200GB120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*