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BSM200GA170DN2S C

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BSM200GA170DN2S C 技術(shù)參數(shù)
  • BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 端子類型:對(duì)接接頭，直插式，單獨(dú)開口 進(jìn)線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):18-20 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 端子類型:對(duì)接接頭，直插式，單獨(dú)開口 進(jìn)線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):18-20 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X
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