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參數(shù)資料
| 型號： | BSM150GAL100D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 150A一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 349K |
| 代理商： | BSM150GAL100D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BSM151FR | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 56A I(D) |
| BSM151R | Avalanche Fast Recovery Rectifier Diodes |
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| BSM15GP602 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM150GAL120DLC | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 150A CHOPPER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BSM150GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GAL120DN2E3166 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) |
| BSM150GAR120DN2 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| BSM150GB100D | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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