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BSM150GAL100D

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  • BSM150GAL100D
    BSM150GAL100D

    BSM150GAL100D

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 170

  • EUPEC

  • 150A/1000V/IGBT+DIOD

  • 2024+

  • -

  • 全新現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • BSM150GAL100D
    BSM150GAL100D

    BSM150GAL100D

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽(yáng)先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • EUPEC

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -

  • 只做原裝正品

  • BSM150GAL100D
    BSM150GAL100D

    BSM150GAL100D

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ?EUPEC

  • ?150A/1000V/IGBT+DIO

  •  

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BSM150GAL100D
    BSM150GAL100D

    BSM150GAL100D

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SIEMENS

  • MODULE

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSM150GAL100D
    BSM150GAL100D

    BSM150GAL100D

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • EUPEC

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -

  • 只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
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  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
BSM150GAL100D 技術(shù)參數(shù)
  • BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:* 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 壓力類(lèi)型:排氣式壓力計(jì) 工作壓力:15 PSI（103.42 kPa） 輸出類(lèi)型:模擬電壓 輸出:0 mV ~ 79.5 mV（3V） 精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無(wú)端口 特性:- 端子類(lèi)型:表面貼裝型 最高壓力:45 PSI（310.26 kPa） 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應(yīng)商器件封裝:8-LCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY
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