BSM080D12P2C008

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSM080D12P2C008
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
200
isc,iscsemi
S122X45-10L
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

BSM080D12P2C008
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
92500
Rohm Semiconductor
SIC POWER MODULE-120
22+
-

BSM080D12P2C008
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Rohm
22+
-
原裝正品

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功能描述
SIC POWER MODULE-1200V-80A
制造商
rohm semiconductor
系列
-
包裝
托盤
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
80A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 13.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
800pF @ 10V
功率 - 最大值
600W
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
標準包裝
1

BSM080D12P2C008 技術(shù)參數(shù)

BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期壓力類型:排氣式壓力計工作壓力:15 PSI（103.42 kPa）輸出類型:模擬電壓輸出:0 mV ~ 79.5 mV（3V）精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無端口特性:- 端子類型:表面貼裝型最高壓力:45 PSI（310.26 kPa）工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應商器件封裝:8-LCC 標準包裝:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（負極）電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSL802SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1