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參數(shù)資料
| 型號： | BSM151FR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 56A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 500V五（巴西）直|第56A條（?。?/td> |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 349K |
| 代理商： | BSM151FR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BSM15GD100D | Avalanche Fast Recovery Rectifier Diodes |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM151R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) |
| BSM15GD100D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) |
| BSM15GD120D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) |
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| BSM15GD120DLCE3224 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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