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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSM141 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨(dú)立| 400V五（巴西）直|第60A條（?。?/td> |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | BSM141 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BSM150GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM150GAL120DN2E3166 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) |
| BSM150GAR120DN2 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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