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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BS62LV2007 |
| 廠商： | BRILLIANCE SEMICONDUCTOR, INC. |
| 英文描述： | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
| 中文描述： | 非常低功率/電壓CMOS SRAM的256K × 8位 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | BS62LV2007 |
R0201-BS62LV2007
Revision 2.0
April 2002
9
BS62LV2007
BSI
REVISION HISTORY
Revision
Description
Date
Note
1.0
Data Sheet release
Jan. 10, 2002
2.0
Modify some AC parameters.
Modify 5V ICCSB1_Max(I-grade)
from 10uA to 25uA.
April,12,2002
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BS62UV1027PIP10 | Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BS62LV2008 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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| BS62LV2008DC-55 | 制造商:BSI 制造商全稱:Brilliance Semiconductor 功能描述:Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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