參數(shù)資料
型號(hào)： BLW60C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-120A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： BLW60C
March 1993
12
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLW60C
Fig.16
handbook, halfpage
0
20
40
d3, d5
(dB)
60
40
MGP493
P.E.P. (W)
d5
d3
intermodulation distortion versus
output power *
Fig.17
handbook, halfpage
0
20
40
η
dt
(%)
0
20
MGP494
P.E.P. (W)
typ
output power
Fig.18
handbook, halfpage
0
20
40
d3, d5
(dB)
60
40
MGP495
P.E.P. (W)
d3
d5
output power *
Fig.19
handbook, halfpage
0
20
40
η
dt
(%)
0
20
MGP496
P.E.P. (W)
typ
output power
*
Relative to the according peak envelope powers these figures should be increased by 6 dB.
Stated intermodulation distortion figures are referred to the according level of either of the equal amplified tones.
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