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參數(shù)資料
| 型號： | BLW29 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | VHF power transistor |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-120A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BLW29 |
DATA SHEET
Product specification
August 1986
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLW29
VHF power transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLW30 | VHF power transistor |
| BLW32 | UHF linear power transistor(UHF線性功率晶體管) |
| BLW33 | UHF Linear power transistor(UHF 線性功率晶體管) |
| BLW34 | UHF Linear power transistor(UHF 線性功率晶體管) |
| BLW50F | HF/VHF power transistor(HF/VHF功率 晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLW30 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:VHF power transistor |
| BLW31 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLW31_07 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLW32 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW33 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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