參數(shù)資料
型號(hào)： BLV935
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-273, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： BLV935
1995 Jun 29
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV935
Fig.10 Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 100 mA; P
L
= 30 W;
T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.3 K/W.
handbook, halfpage
(
)
800
840
880
1000
0
8
MLD146
920
960
6
4
2
f (MHz)
xi
ri
Fig.11 Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 100 mA; P
L
= 30 W;
T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.3 K/W.
handbook, halfpage
(
)
800
840
880
920
1000
10
10
MLD147
960
5
0
5
f (MHz)
RL
XL
Fig.12 Power gain asa function of frequency;
typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 100 mA; P
L
= 30 W;
T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.3 K/W.
handbook, halfpage
800
840
880
920
1000
0
MLD148
960
8
4
G
f (MHz)
p
(dB)
Fig.13 Definition of transistor impedance.
handbook, halfpage
MBA451
Zi
ZL
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PDF描述
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