參數(shù)資料
型號(hào)： BLV935
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-273, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： BLV935
1995 Jun 29
7
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV935
Notes
1.
2.
American Technical Ceramics type 100B or capacitor of same quality.
The striplines are on double-clad PCB with PTFE fibre-glass dielectric (
ε
r
= 2.2); thickness
1
32
".
L10
4 turns 1 mm enamelled
copper wire (close wound)
65 nH
internal diameter: 4 mm
length: 4 mm
leads: 2
×
5 mm
L11, L12
grade 3B Ferroxcube
wideband RF choke
metal film resistor
4312 020 36642
R1, R2
10
;
0.4 W
2322 151 71009
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE No.
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