參數資料
型號: BLS2731-110
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述: S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-423A, 3 PIN
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 85K
代理商: BLS2731-110
1998 Jan 30
6
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-110
List of components
Notes
1.
2.
American Technical Ceramics type 100A or capacitor of same quality.
The striplines are on double-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2); thickness = 0.38 mm.
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE No.
C1, C2
multilayer ceramic chip
capacitor; note 1
multilayer ceramic chip
capacitor
multilayer ceramic chip
capacitor in series with SMD
resistor
stripline; note 2
100 pF
C3
100 nF
RC
100 nF + 5
L1
length 4.5 mm
width 10 mm
length 2.5 mm
width 16.4 mm
length 8.3 mm
width 1 mm
length 8 mm
width 1.5 mm
length 2 mm
width 8.9 mm
length 12.7 mm
width 1.2 mm
length 4.5 mm
width 10 mm
length 2.5 mm
width 24.4 mm
length 4.4 mm
width 1 mm
length 5.2 mm
width 1 mm
length 9.3 mm
width 1 mm
length 2.5 mm
width 6 mm
length 7.8 mm
width 1.2 mm
length 7.5 mm
width 1.2 mm
L2
stripline; note 2
L3
stripline; note 2
L4
stripline; note 2
L5
stripline; note 2
L6
stripline; note 2
L7
stripline; note 2
L8
stripline; note 2
L9
stripline; note 2
L10
stripline; note 2
L11
stripline; note 2
L12
stripline; note 2
L13
stripline; note 2
L14
stripline; note 2
相關PDF資料
PDF描述
BLS2731-150 TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
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BLS3135-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
BLS2731-110 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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