參數(shù)資料
型號(hào)： BLS2731-50
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-422A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 68K
代理商： BLS2731-50
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Nov 05
1998 Jan 30
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLS2731-50
Microwave power transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS3135-10 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-65 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLT11 NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS2731-50 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-50,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2933-100 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power LDMOS transistor
BLS2933-100,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS MICRO PWR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BLS2G3D1609DS1S00 制造商:Crucial Technology 功能描述:DRAM Module DDR3 SDRAM 2Gbyte 240DIMM 制造商:Micron Consumer Products Group 功能描述:2GB DDR3 BALLISTIX PC-12800 CL9, 1.5V - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*