參數(shù)資料
型號： BLS2731-50
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-422A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BLS2731-50
1998 Jan 30
5
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
BLS2731-50
Fig.6 Component layout for 2.7 to 3.1 GHz class-C test circuit.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (
ε
r
= 2.2), thickness 0.38 mm.
The other side is unetched and serves as a ground plane.
C1 = ATC 200A 10 nF
C2 = ATC 100A 10 pF
C3 = ATC 700A 150 pF
C4 = Tekelec trimmer 37281SL 0.4 to 2.5 pF.
handbook, full pagewidth
MGM537
C1
C2
C3
C4
output
input
40
30
30
相關PDF資料
PDF描述
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BLS3135-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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