參數(shù)資料
型號： BLS2731-110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Microwave power transistor(微波功率晶體管)
中文描述： S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-423A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 85K
代理商： BLS2731-110
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Nov 05
1998 Jan 30
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLS2731-110
Microwave power transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLS2731-150 TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS2731-50 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-10 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
BLS3135-20 Microwave power transistor(微波功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLS2731-110 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-110,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLS2731-150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-469A
BLS2731-20 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Microwave power transistor
BLS2731-20 TRAY 功能描述:射頻雙極電源晶體管 BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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