參數(shù)資料
型號： BLF522
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power MOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： BLF522
September 1992
6
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power MOS transistor
BLF522
APPLICATION INFORMATION FOR CLASS-B OPERATION
T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.4 K/W, unless otherwise specified.
RF performance in a common source class-B circuit.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(mA)
P
L
(W)
G
p
(dB)
>
10
typ. 11
η
D
(%)
>
50
typ. 55
CW, class-B
500
12.5
50
5
Ruggedness in class-B operation
The BLF522 is capable of withstanding a full load
mismatch corresponding to VSWR = 50:1 through all
phases under the following conditions:
V
DS
= 15.5 V; f = 500 MHz at rated output power.
Fig.9
Power gain and efficiency as functions of
load power, typical values.
Class-B operation; V
DS
= 12.5 V; I
DQ
= 50 mA;
f = 500 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
0
4
8
12
16
0
20
40
60
80
100
η
(%)
3
4
5
6
7
η
MRA247
GP
PL (W)
Fig.10 Load power as a function of input power,
typical values.
Class-B operation; V
DS
= 12.5 V; I
DQ
= 50 mA;
f = 500 MHz.
handbook, halfpage
PL
(W)
2
4
6
8
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
MRA252
PIN (W)
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