參數(shù)資料
型號(hào)： BLF522
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power MOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-171A, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： BLF522
September 1992
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power MOS transistor
BLF522
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
±
V
GS
I
D
P
tot
T
stg
T
i
drain-source voltage
gate-source voltage
DC drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
65
40
20
1.8
20
150
200
V
V
A
W
°
C
°
C
up to T
mb
= 25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL
RESISTANCE
R
th j-mb
thermal resistance from junction to mounting
base
thermal resistance from mounting base to
heatsink
T
mb
= 25
°
C; P
tot
= 20 W
8.8 K/W
R
th mb-h
T
mb
= 25
°
C; P
tot
= 20 W
0.4 K/W
Fig.2 DC SOAR.
(1) Current in this area may be limited by R
DS(on)
.
(2) T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0.1
1
1
10
100
ID
(A)
VDS (V)
MRA990
(2)
(1)
Fig.3 Power/temperature derating curves.
(1) Continuous operation.
(2) Short-time operation during mismatch.
handbook, halfpage
(W)
0
5
10
15
20
(2)
25
30
0
20
40
60
80
100
120
MRA427
Th (
o
C)
(1)
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