參數(shù)資料
型號(hào)： BLF522
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power MOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： BLF522
September 1992
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power MOS transistor
BLF522
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
270
1.8
2.3
14
17
3
MAX.
0.5
1
4.5
2.7
UNIT
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
g
fs
R
DS(on)
I
DSX
C
is
C
os
C
rs
drain-source breakdown voltage
drain-source leakage current
gate-source leakage current
gate-source threshold voltage
forward transconductance
drain-source on-state resistance
on-state drain current
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
V
GS
= 0; I
D
= 5 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 12.5 V
±
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 50 mA; V
DS
= 10 V
I
D
= 0.7 A; V
DS
= 10 V
I
D
= 0.7 A; V
GS
= 15 V
V
GS
= 15 V; V
DS
= 10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 12.5 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 12.5 V; f = 1 MHz
V
GS
= 0; V
DS
= 12.5 V; f = 1 MHz
40
2
200
V
mA
μ
A
V
mS
A
pF
pF
pF
Fig.4
Temperature coefficient of gate-source
voltage as a function of drain current, typical
values.
V
DS
= 10 V.
handbook, halfpage
T.C.
(mV/K)
5
15
5
10
10
2
10
3
10
4
MRA254
ID(mA)
Fig.5
Drain current as a function of gate-source
voltage, typical values.
V
DS
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
1
2
0
4
8
12
16
20
MRA249
ID
(A)
VGS (V)
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