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參數(shù)資料
| 型號： | BLF2045 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor(UHF 功率 LDMOS晶體管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC, FM-2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | BLF2045 |
1999 Dec 06
5
Philips Semiconductors
Preliminary specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2045
V
DS
= 26 V; I
= 180 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz..
Fig.4
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
-60
-40
-20
0
0
10
20
30
40
50
P
L
(PEP) (W)
d
im
(dBc)
d
3
d
5
d
7
(1) I
DQ
= 140mA
V
DS
= 26 V;T
h
≤
25
°
C; f
1
= 2000 MHz; f
2
= 2000.1 MHz.
(2) I
DQ
= 180mA
(3) I
DQ
= 220mA
Fig.5
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
-60
-40
-20
0
0
10
20
30
40
P
L
(PEP) (W)
50
d
3
(dBc)
(1)
(2)
(3)
Fig.6
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
DS
= 26 V; I
DQ
= 180 mA; P
L
= 45 W; T
h
≤
25
°
C.
0
1
2
3
4
5
1.8
2
2.2
f (GHz)
z
i
(
)
r
i
x
i
Fig.7
Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
DS
= 26 V; I
DQ
= 180 mA; P
L
= 45 W; T
h
≤
25
°
C.
-6
-4
-2
0
2
4
6
1.8
2
2.2
f (GHz)
Z
L
(
)
X
L
R
L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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