參數(shù)資料
型號(hào)： BFU510
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： BFU510
2003 Jun 12
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
handbook, halfpage
NFmin
(dB)
0
2
10
3
1
0
2
4
IC (mA)
6
8
MLE148
f = 2 GHz
f = 5 GHz
Fig.14 Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
1
0
2
6
4
MLE149
f (GHz)
NFmin
(dB)
Fig.15 Minimum noise figure as a function of
frequency.
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
Noise data: V
CE
= 2 V; I
C
= 1 mA; T
amb
= 25
°
C; typical values
f
(GHz)
F
min
(dB)
Γ
opt
r
n
(
)
(mag)
(deg)
2
3
4
5
6
7
8
9
1.2
1.5
1.9
2.2
2.5
2.7
3.0
3.2
3.3
3.4
3.5
0.79
0.72
0.60
0.55
0.43
0.30
0.27
0.27
0.33
0.43
0.46
36.5
57.9
81.2
103.7
133.7
168.3
152.7
103.2
62.8
38.5
16.0
1.07
0.84
0.60
0.36
0.22
0.18
0.23
0.42
0.71
0.96
1.25
10
11
12
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