參數(shù)資料
型號(hào)： BFU510
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大小： 112K
代理商： BFU510
2003 Jun 12
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
SPICE parameters for the BFU510 die
Note
1.
Not used.
List of components
(see Fig.16)
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
(1)
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
VJS
MJS
FC
0.277
270
1.06077
45
11.1
265
2.9
50
1.01
1
0.001
0.4
1.21
21
30
4.36
20.5
2.2
1.014
3
54.3
877
0.202
2.8
0.9
0.026
0.9
30
30
577
0.239
0.44
20
8.84
500
0.6447
0.7
aA
V
mA
fA
MV
A
fA
m
eV
fF
mV
ps
V
A
deg
fF
mV
ns
fF
mV
DESIGNATION
VALUE
UNIT
L
b
L
c
L
e
C
be1
C
be2
C
ce
C
cs
R
cs
0.90
1.02
0.33
133
65
66
100
170
nH
nH
nH
fF
fF
fF
fF
handbook, halfpage
MLE150
E
B'
C'
C
E'
Le
Lb
Lc
Cce
Cbe2
Cbe
Ccs
Rcs
Fig.16 Package equivalent circuit SOT343R2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFU540 NPN SiGe wideband transistor
BGE788 CATV amplifier module
BGE883BO RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1.5A 50V 50A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-15 5K/REEL-13
BGF844 GSM800 EDGE power module
BGF944 GSM900 EDGE power module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFU520AR 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT23-3 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.7dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU520AVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1dB @ 1.8GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU520AW,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFU520R 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.65dB @ 900MHz 增益:20dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU520VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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