參數(shù)資料
型號(hào)： BFU510
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： BFU510
2003 Jun 12
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Notes
1.
2.
G
max
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
max
= MSG.
Z
S
and Z
L
are optimized for gain.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
140
150
25
23
MAX.
15
210
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
C
c
C
re
G
max
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector-base leakage current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
maximum power gain; note 1
I
C
= 2.5
μ
A; I
E
= 0
I
C
= 1 mA; I
B
= 0
I
E
= 2.5
μ
A; I
C
= 0
I
E
= 0; V
CB
= 4.5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Γ
S
=
Γ
opt
I
C
= 5 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Z
S
= Z
S opt
; Z
L
= Z
L opt
; note 2
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Z
S
= Z
S opt
; Z
L
= Z
L opt
; note 2
9
2.3
2.5
70
V
V
V
nA
fF
fF
dB
NF
noise figure
1
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
third order intercept point
2
dBm
ITO
7
dBm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFU540 NPN SiGe wideband transistor
BGE788 CATV amplifier module
BGE883BO RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1.5A 50V 50A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-15 5K/REEL-13
BGF844 GSM800 EDGE power module
BGF944 GSM900 EDGE power module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFU520AR 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT23-3 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.7dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU520AVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1dB @ 1.8GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU520AW,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFU520R 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.65dB @ 900MHz 增益:20dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU520VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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