參數(shù)資料
型號： BFU510
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 2/16頁
文件大小： 112K
代理商： BFU510
2003 Jun 12
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU510
FEATURES
Very high power gain
Very low noise figure
High transition frequency
Emitter is thermal lead
Low feedback capacitance
45 GHz SiGe process.
APPLICATIONS
RF front end
Wideband applications, e.g. analog and digital cellular
telephones, cordless telephones (PHS, DECT, etc.)
Radar detectors
Pagers
Satellite television tuners (SATV)
High frequency oscillators.
DESCRIPTION
NPN SiGe wideband transistor for low voltage applications
in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
emitter
base
emitter
collector
handbook, halfpage
Top view
MSB842
2
1
4
3
Fig.1 Simplified outline SOT343R.
Marking code:
A5.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
70
TYP.
10
140
23
1
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
G
max
NF
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
maximum power gain
noise figure
open emitter
open base
9
2.3
15
35
210
V
V
mA
mW
T
s
≤
115
°
C
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; T
j
= 25
°
C
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz;
Γ
S
=
Γ
opt
dB
dB
CAUTION
This product is supplied in anti-static packing to prevent damage caused by electrostatic discharge during transport
and handling. For further information, refer to Philips specs.: SNW-EQ-608, SNW-FQ-302A and SNW-FQ-302B.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFU540 NPN SiGe wideband transistor
BGE788 CATV amplifier module
BGE883BO RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1.5A 50V 50A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-15 5K/REEL-13
BGF844 GSM800 EDGE power module
BGF944 GSM900 EDGE power module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFU520AR 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT23-3 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:0.7dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU520AVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 1.8GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU520AW,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFU520R 功能描述:TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:0.65dB @ 900MHz 增益:20dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU520VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:10.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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