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參數(shù)資料
| 型號： | BFG31 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG31<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | BFG31 |
1995 Sep 12
5
NXP Semiconductors
Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor
BFG31
Fig.6
Intermodulation distortion as a function
of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 650 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 443.25 MHz.
handbook, halfpage
MBB348
(dB)
40
60
100
65
45
80
50
55
60
IC
Fig.7
Intermodulation distortion as a function
of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 550 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 848.25 MHz.
handbook, halfpage
MBB349
(dB)
40
60
80
120
100
55
60
65
dim
IC
Fig.8 Second order intermodulation distortion
as a function of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 450 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
MBB350
10
110
60
50
40
30
20
30
50
70
90
IC
Fig.9
Second order intermodulation distortion
as a function of collector current.
V
CE
=
10 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 810 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
MBB351
10
110
60
50
40
30
20
30
50
70
90
IC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BFG310 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310/XR T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG310/XR,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG310W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
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