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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG31 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG31<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 209K |
| 代理商： | BFG31 |
1995 Sep 12
2
NXP Semiconductors
Product specification
PNP 5 GHz wideband transistor
BFG31
FEATURES
High output voltage capability
High gain bandwidth product
Good thermal stability
Gold metallization ensures
excellent reliability.
DESCRIPTION
PNP planar epitaxial transistor
mounted in a plastic SOT223
envelope.
It is intended for wideband amplifier
applications.
NPN complement is the BFG97.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
emitter
base
emitter
collector
Fig.1 SOT223.
lfpage
4
1
2
3
MSB002 - 1
Top view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
15
100
1
UNIT
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
open base
25
V
mA
W
up to T
s
= 135
C ; note 1
I
C
=
70 mA; V
CE
=
10 V;
T
amb
= 25
C
I
C
=
70 mA; V
CE
=
10 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
=
70 mA; V
CE
=
10 V;
f = 800 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
=
100 mA; V
CE
=
10 V;
R
L
= 75
; T
amb
= 25
C
f
T
transition frequency
5.0
GHz
G
UM
maximum unilateral power
gain
output voltage
12
dB
V
o
600
mV
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
20
15
3
100
1
150
175
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
V
V
V
mA
W
C
C
up to T
s
= 135
C; note 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325 | NPN 14 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG31,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP 10V 100mA 14GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG310 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310/XR T/R | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG310/XR,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG310W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor |
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